| 全TOPCon电池正面多晶硅层硼掺杂工艺 |
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| 引用本文： | 张博,宋志成,倪玉凤,魏凯峰.全TOPCon电池正面多晶硅层硼掺杂工艺[J].人工晶体学报,2024(2):329-335. |
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| 作者姓名： | 张博 宋志成 倪玉凤 魏凯峰 |
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| 作者单位： | 1. 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;2. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 |
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| 摘 要： | 为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率，本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构，提升发射极钝化性能，减少正面金属复合。本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝化性能及掺杂曲线的影响。实验结果表明，当沉积时间为1 500 s,推进温度为920℃,推进时间为20 min时，掺硼多晶硅层可获得较优的钝化性能及掺杂浓度，其中样品多晶硅层硼掺杂浓度达到1.40×1020 cm-3,隐开路电压(iVoc)大于720.0 mV。依据该参数制备的TOPCon电池光电转换效率可达23.89%,对应的短路电流密度为39.36 mA/cm2,开路电压(Voc)达到726.4 mV,填充因子(FF)为83.54%。
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| 关 键 词： | TOPCon电池 钝化接触 硼扩散 钝化 电流密度 光电转换效率 |
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