CdSiP2晶体的生长与热膨胀性质研究 |
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引用本文: | 杨辉,朱世富,赵北君,何知宇,陈宝军,孙宁,吴敬尧,林莉. CdSiP2晶体的生长与热膨胀性质研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(10): 2619-2625 |
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作者姓名: | 杨辉 朱世富 赵北君 何知宇 陈宝军 孙宁 吴敬尧 林莉 |
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作者单位: | 四川大学材料科学系,成都610064;西华师范大学物理与空间科学学院,南充637000;四川大学材料科学系,成都,610064 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(51172149) |
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摘 要: | 设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达φ15 mm × 65 mm.采用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱仪对生长的晶体进行测试表明,生长晶体化学成分非常接近CdSiP2的理论化学配比,结晶性良好.运用红外分光光度计以及红外显微镜对厚度2mm的CdSiP2晶片进行了红外光学性能测试,结果表明,在2~5 μm范围内的红外透过率在53;以上,晶片的红外透过率均匀性接近90;.对CdSiP2晶体a轴方向与c轴方向的热膨胀系数αa和αc分别进行了测定,在温度620K时,a轴方向的热膨胀系数αa高达4×10-6 K-1,几乎为αc的三倍.计算得到Cd-P键rCd-P的热膨胀系数为17×10-6 K-1,比Si-P键rSi-P大得多,采用电子结构理论分析了CdSiP2晶体各向异性热膨胀机理.
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关 键 词: | CdSiP2 晶体生长 布里奇曼法 热膨胀, |
Growth and Thermal Expansion Properties of CdSiP2 Crystal |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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