| 薄膜全耗尽积累型SOI MOS 器件在( 27～300℃)宽温区高温特性的研究 |
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| 引用本文： | 冯耀兰,樊路加,宋安飞,施雪捷. 薄膜全耗尽积累型SOI MOS 器件在( 27～300℃)宽温区高温特性的研究[J]. 电子器件, 2002, 25(1): 18-21 |
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| 作者姓名： | 冯耀兰 樊路加 宋安飞 施雪捷 |
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| 作者单位： | 1. 东南大学微电子中心,南京,210096
2. 信息产业部电子第24所,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点实验室基金，69736020，2000JS 09.8.1 JW0604，， |
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| 摘 要： | 本文在对p^ pp^ 结构薄膜全耗尽积累型SOA MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上，进一步研究了实验样品在（27－300℃）宽温区高温特性，理论和实验研究结果表明p^ pp^ 结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件实验样品在（27－300℃）宽温区具有良好的高温特性。
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅 金属－氧化物－半导体 薄膜 积累型 高温特性 MOS器件 |
| 文章编号： | 1005-9490(2002)01-0018-04 |
| 修稿时间： | 2001-10-16 |
Study on High Temperature Characteristics of Thin FilmFull Depletion Accumulation-Mode SOI MOS DevicesIn (27～300℃) Wide Temperature Range |
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| F EN G Yaolan,FA N L uj i,SON G A nf ei,S H I X uej ie. Study on High Temperature Characteristics of Thin FilmFull Depletion Accumulation-Mode SOI MOS DevicesIn (27～300℃) Wide Temperature Range[J]. Journal of Electron Devices, 2002, 25(1): 18-21 |
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| Authors: | F EN G Yaolan FA N L uj i SON G A nf ei S H I X uej ie |
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| Affiliation: | Micr oelectr onics Center , Southeas t Univ er sity |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI MOS thin film accumulation mode high temperature |
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