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改善多指HBT热稳定性的非均匀指间距技术
引用本文:赵昕,张万荣,金冬月,谢红云,付强,张东晖,刘波宇,周永强.改善多指HBT热稳定性的非均匀指间距技术[J].微电子学,2011,41(4).
作者姓名:赵昕  张万荣  金冬月  谢红云  付强  张东晖  刘波宇  周永强
作者单位:北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124
摘    要:建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响.在此基础上,提出了发射极指间距的非均匀化优化技术.在不同偏置下,对具有均匀间距和非均匀间距的多指HBT各指之间的温度分布进行模拟.结果表明,具有非均匀指间距结构的SiGe HBT峰值温度明显下降,各指之间的温度分布均匀性得到加强,这是传统均匀指间距技术无法比拟的,显示了非均匀指间距优化技术的优越性.

关 键 词:SiGe  异质结双极晶体管  热稳定性  非均匀发射极指间距结构

Non-Uniform Emitter Spacing for Improving Thermal Stability of HBT
ZHAO Xin,ZHANG Wanrong,JIN Dongyue,XIE Hongyun,FU Qiang,ZHANG Donghui,LIU Boyu,ZHOU Yongqiang.Non-Uniform Emitter Spacing for Improving Thermal Stability of HBT[J].Microelectronics,2011,41(4).
Authors:ZHAO Xin  ZHANG Wanrong  JIN Dongyue  XIE Hongyun  FU Qiang  ZHANG Donghui  LIU Boyu  ZHOU Yongqiang
Abstract:
Keywords:
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