首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

LD泵浦被动调Q皮秒Nd∶YVO4微片激光器
作者姓名:杨欢  余锦  张尚  刘洋  张雪
作者单位:中国科学院光电研究院,北京 100094;中国科学院大学,北京 100049
摘    要:报道了一种新型调Q微片激光器。首次提出了斜泵浦方案,实验中分别采用LD端面垂直泵浦和斜泵浦两种方式,结构简单紧凑。微片采用Nd∶YVO4作为工作物质,半导体可饱和吸收镜(SESAM)为调Q元件。在两种泵浦方式下,都获得了重复频率范围在千赫兹到兆赫兹的皮秒激光脉冲输出。以光纤耦合输出的808 nm LD作为泵浦源,在垂直泵浦的情况下,在420 mW 抽运功率下,获得6.40 mW的1064 nm激光输出,脉冲宽度57.8 ps,对应单脉冲能量6 nJ,x、y方向的光束质量因子分别为1.18、1.17。在斜泵浦的情况下,在550 mW抽运功率下,获得2.25 mW的1064 nm激光输出,脉冲宽度64.3 ps,对应单脉冲能量17 nJ,x、y方向的光束质量因子分别为1.29、1.32。

关 键 词:微片激光器; 被动调Q; Nd∶YVO4晶体;半导体可饱和吸收镜
点击此处可从《激光与红外》浏览原始摘要信息
点击此处可从《激光与红外》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号