| Cd1-xZnxTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征 |
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| 引用本文： | 李志锋 陆卫 蔡炜颖 黄根生 杨建荣 何力 沈学础. Cd1-xZnxTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征[J]. 半导体学报, 2001, 11(2): 177-181 |
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| 作者姓名： | 李志锋 陆卫 蔡炜颖 黄根生 杨建荣 何力 沈学础 |
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| 作者单位： | 李志锋（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，上海 200083）;陆卫（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，上海 200083）;蔡炜颖（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，上海 200083）;黄根生（中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心，上海 200083）;杨建荣（中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心，上海 200083）;何力（中国科学院上海技术物理研究所功能材料器件中心，上海 200083）;沈学础（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，上海 200083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号：No.69676014)． |
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| 摘 要： | 用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量．对测得每一点的PL谱进行了拟合，得到测量点的禁带宽度等参数，其平面分布对应于CZT中Zn的组分分布．统计的结果给出禁带宽度的不均匀性．对样品进行溴抛光后重复类似的测量，结果表明禁带宽度的均匀性大为改善，接近了材料组分的真实分布．
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| 关 键 词： | CdZnTe；平面分布；显微光致发光；平面扫描 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）02-0177-05 |
| 修稿时间： | 1999-12-02 |
Characterization of ZnComposition in Cd1-xZnxTe by Room TemperatureMicro-Photoluminescence Mapping |
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| LI Zhi-feng. Characterization of ZnComposition in Cd1-xZnxTe by Room TemperatureMicro-Photoluminescence Mapping[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 11(2): 177-181 |
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| Authors: | LI Zhi-feng |
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