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Zr-Si-N扩散阻挡层及其热稳定性的研究
引用本文:宋忠孝 丁黎 徐可为 陈华. Zr-Si-N扩散阻挡层及其热稳定性的研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2005, 34(3): 459-462
作者姓名:宋忠孝 丁黎 徐可为 陈华
作者单位:1. 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049
2. 山东省临沂市兰山区金雀山办事处,山东,临沂,276000
基金项目:国家自然科学基金重点项目(59931010)和教育部骨干教师计划项目资助
摘    要:用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N扩散阻挡层,结果表明:Zr-Si-N膜的Si含量、电阻率随偏压的升高而降低;Zr-Si-N膜的晶体相随溅射偏压的升高而增加;Zr-Si-N扩散阻挡层的热稳定性高,在850℃时仍能有效阻挡Cu的扩散.

关 键 词:Zr-Si-N 扩散阻挡层 热稳定性
文章编号:1002-185X(2005)03-0459-04
修稿时间:2003-08-25

The Study of Zr-Si-N Diffusion Barrier and Its Thermal Stability
Song Zhongxiao,Ding Li,Xu Kewei,Cheng Hua. The Study of Zr-Si-N Diffusion Barrier and Its Thermal Stability[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2005, 34(3): 459-462
Authors:Song Zhongxiao  Ding Li  Xu Kewei  Cheng Hua
Abstract:Zr-Si-N diffusion barrier films were deposited by reactive magnetron sputtering with different negative bias. The results reveal that the Si content and resistivity of the Zr-Si-N films decrease as negative bias increases. The crystalline phase increases with the increase of negative bias. The thermal stability of Zr-Si-N diffusion barrier was so good that Zr-Si-N diffusion barrier can effectively prevent from the diffusion of Cu.
Keywords:Zr-Si-N  diffusion barrier  thermal stability  
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