| 集成电路迈向90nm新工艺 |
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| 引用本文： | 朱良辰,胡越黎,冉峰.集成电路迈向90nm新工艺[J].微纳电子技术,2003,40(10):42-44. |
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| 作者姓名： | 朱良辰 胡越黎 冉峰 |
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| 作者单位： | 上海大学微电子研发中心,上海,200072 |
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| 摘 要： | 介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。
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| 关 键 词： | 90nm 应变硅 铜工艺 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)10-0042-03 |
| 修稿时间： | 2003年2月28日 |
IC strides towards the new technology of 90 nm |
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| ZHU Liang-chen,HU Yue-li,RAN Feng.IC strides towards the new technology of 90 nm[J].Micronanoelectronic Technology,2003,40(10):42-44. |
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| Authors: | ZHU Liang-chen HU Yue-li RAN Feng |
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| Abstract: | The most updated90nm manufacturing technology is introduced,along with some new techniques such as strained silicon and50nm gate-length transistor.Finally a prospect about the development of IC in the future is made. |
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| Keywords: | nm strained silicon copper technology |
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