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| 衬底和退火温度对多晶硅薄膜结构及光学性质影响 | |
| 作者单位： | ;1.内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室 |
| 摘 要： | 通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术与退火处理制备多晶硅薄膜,研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得,考虑薄膜表面的质量,最佳的退火温度为635℃,衬底温度为225℃,在玻璃衬底形成的晶粒大于50 nm,光学带隙为1.5 e V。结果表明:衬底温度影响着薄膜中氢含量以及相关的缺陷。随着退火温度的升高,晶化率的提高,光学带隙先减小后增大。 |
| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 衬底温度 退火温度 薄膜表面 结构和光学性质 |
Effect of substrate and annealing temperature on the structure and optical properties of polycrystalline silicon films |
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