| 6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌 |
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| 引用本文： | 韩荣江,王继扬,胡小波,董捷,李现祥,李娟,王丽,徐现刚,蒋民华.6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌[J].人工晶体学报,2004,33(3):335-338. |
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| 作者姓名： | 韩荣江 王继扬 胡小波 董捷 李现祥 李娟 王丽 徐现刚 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家 8 63计划 (No .2 0 0 1AA3 110 80 )，国家自然科学基金 (No .60 0 2 5 40 9)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H-SiC单晶(0001)Si-面的生长形貌,应用台阶仪测定了生长台阶高度.实验发现,6H-SiC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合现象.在单晶中间部分,生长台阶稀疏,台面较宽,约80μm左右,台阶高度较小,约20～50nm,比较宽的台面上存在小生长螺旋.外围单晶区域,生长台阶比较密集,其台阶高度较大,约300～700nm,台面宽度较小,约2～5μm.生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响,在微管的附近出现弯曲.
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| 关 键 词： | 6H-SiC单晶 表面生长形貌 生长台阶 韵律束合现象 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)03-0335-04 |
Surface Growth Morphology of (0001) Si-face of 6H-SiC Single Crystal |
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| HAN Rong-jiang,WANG Ji-yang,HU Xiao-bo,DONG Jie,LI Xian-xiang,LI Juan,WANG Li,XU Xian-gang,JIANG Min-hua.Surface Growth Morphology of (0001) Si-face of 6H-SiC Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(3):335-338. |
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| Authors: | HAN Rong-jiang WANG Ji-yang HU Xiao-bo DONG Jie LI Xian-xiang LI Juan WANG Li XU Xian-gang JIANG Min-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | H-SiC single crystal surface growth morphology growth step rhythmic bunching phenomena |
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