| 分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe2吸收层 |
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| 引用本文： | 胡飞,叶澍,文思逸,胡跃辉. 分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe2吸收层[J]. 材料导报, 2012, 26(Z1) |
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| 作者姓名： | 胡飞 叶澍 文思逸 胡跃辉 |
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| 作者单位： | 景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,景德镇333001 |
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| 基金项目： | 中国人保部留学人员科技活动项目，江西省青年科学家(井冈之星)培养对象计划，江西省自然科学基金，江西省教育厅科技项目 |
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| 摘 要： | 采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2 (CIS)薄膜.通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜.结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比.而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比.
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| 关 键 词： | 线性电位扫描 铜铟硒薄膜 分段电沉积 恒电位电沉积 |
The Electrodeposition of CuInSe2 Adsorb Layers by Step Potentiostatic Method |
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| HU Fei , YE Shu , WEN Siyi , HU Yuehui. The Electrodeposition of CuInSe2 Adsorb Layers by Step Potentiostatic Method[J]. Materials Review, 2012, 26(Z1) |
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| Authors: | HU Fei YE Shu WEN Siyi HU Yuehui |
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