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La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷电场诱导相变的研究
引用本文:弓长  冯玉军  徐卓. La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷电场诱导相变的研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1477-1480
作者姓名:弓长  冯玉军  徐卓
作者单位:弓长(西安交通大学,电子材料与器件研究所,陕西,西安,710049);冯玉军(西安交通大学,电子材料与器件研究所,陕西,西安,710049);徐卓(西安交通大学,电子材料与器件研究所,陕西,西安,710049)
基金项目:总装备部国防预研基金项目(51412040103JW0802)
摘    要:研究了制作工艺对于反铁电陶瓷材料性能的影响,以及调压用PLZST在电场诱导下发生反铁电-铁电相变现象,对反铁电陶瓷在不同强度电场下所表现出的极化强度随电压变化进行了测试,记录结果表明,用于在持续电压作用下调压用反铁电陶瓷,对于处于反铁电-铁电开关电场附近(EAFE-FE)的电压波动调压效果最好.此时小电压波动能够引起较大范围内的极化强度值的变化,在此时对于能量的吸收作用最强.从而对于调压用反铁电陶瓷应根据陶瓷的电滞回线选择合适的调节范围.

关 键 词:PLZST  反铁电陶瓷  相变
文章编号:1001-9731(2004)增刊-1477-04
修稿时间:2004-02-27

Study on the switchingfield induced antiferroelectric to ferroelectric phase transition in la modified Pb(Zr,Sn,Ti)O3
GONG Chang. Study on the switchingfield induced antiferroelectric to ferroelectric phase transition in la modified Pb(Zr,Sn,Ti)O3[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(Z1): 1477-1480
Authors:GONG Chang
Abstract:
Keywords:
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