| 300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布 |
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| 引用本文： | 田达晰,马向阳,曾俞衡,杨德仁,阙端麟.300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布[J].半导体学报,2008,29(1):123-127. |
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| 作者姓名： | 田达晰 马向阳 曾俞衡 杨德仁 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 教育部长江学者和创新团队发展计划
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教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 采取从某一温度(600～1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释.
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| 关 键 词： | 300mm掺N直拉Si片 原生氧沉淀 径向分布 |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）01-0123-05 |
| 收稿时间： | 2007-06-25 |
| 修稿时间： | 7/13/2007 9:11:40 AM |
Radial Distribution of Grown-In Oxygen Precipitates in a 300mm Nitrogen-Doped Czochralski Silicon Wafer |
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| Tian Daxi,Ma Xiangyang,Zeng Yuheng,Yang Deren and Que Duanlin.Radial Distribution of Grown-In Oxygen Precipitates in a 300mm Nitrogen-Doped Czochralski Silicon Wafer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(1):123-127. |
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| Authors: | Tian Daxi Ma Xiangyang Zeng Yuheng Yang Deren and Que Duanlin |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 300mm nitrogen-doped Czochralski silicon wafer grown-in oxygen precipitates radial distribution |
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