微型磁阻元件中磁畴活动和畴壁态极性转变的研究 |
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作者姓名: | 周勇 余晋岳 |
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摘 要: | 采用Bitter粉纹技术详细观察和研究了微型磁阻元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构,结果表明Barkhausen噪声来源于磁化过程中的磁畴活动和畴壁态极性转变,磁阻元件中的曲折状畴的产生,强化和畴壁合并及畴壁态极性转变是不可逆过程,是磁阻元件输出信号噪声的主要根源。实验发现,在磁阻元件和引线的连接处存在着磁畴结构,且这一过程是不可逆的。目前尚未见过报道,这必然也是磁阻元件输出信号噪声的来源之一。
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关 键 词: | 微型 磁阻元件 磁畴活动 畴壁态 极性转变 |
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