τ_n■τ_p的光导器件的探测率

我们取消了τ_n=τ_p的条件,取消了无限吸收的限制,考虑了表面复合,得到了本征光导器件探测率D_4的表达式。 在本文得到的D公式中,出现了τ_(PEM),但公式中这个量的影响很小,完全可以略去。 计算表明,77°K、P型InSb光导器件,在通常的表面复合速度下,最佳厚度约3μm。D_A随多数载流子浓度的降低而增高,但由于背景限制,过低的浓度非但困难,也无必要。