| 新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展 |
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| 引用本文： | 刘 洋,辜 科,李 平,李 威. 新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2016, 14(6): 966-971 |
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| 作者姓名： | 刘 洋 辜 科 李 平 李 威 |
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| 作者单位： | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device，University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu Sichuan 610054，China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device，University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu Sichuan 610054，China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device，University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu Sichuan 610054，China and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device，University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu Sichuan 610054，China |
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| 摘 要： | 通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力，总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析，得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。
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| 关 键 词： | 非易失性存储器；辐射效应；总剂量效应；单粒子效应；抗辐射加固 |
| 收稿时间： | 2015-07-15 |
| 修稿时间： | 2015-09-11 |
Research progress of the radiation response of new non-volatile RAMs |
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| LIU Yang,GU Ke,LI Ping and LI Wei. Research progress of the radiation response of new non-volatile RAMs[J]. Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology, 2016, 14(6): 966-971 |
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| Authors: | LIU Yang GU Ke LI Ping LI Wei |
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