商用0.18μm CMOS工艺抗总剂量辐射性能研究

对国内标准商用0.18μm工艺MOSFET和电路进行总剂量效应研究。其STI隔离区域二氧化硅在总剂量达到50k rad(Si)时,端口3.3 V NMOS晶体管漏电达到了10-9A级,达到100k rad(Si)以上时,内核1.8 V NMOS晶体管出现场区漏电。通过电路总剂量辐照试验,表明NMOS晶体管是薄弱点。需要开发STI场区总剂量加固技术,以满足抗辐射电路研制要求。