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| 单电子晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性数学模型及逻辑应用 | |
| 作者姓名： | 孙铁署 蔡理 |
| 作者单位： | 空军工程大学,工程学院,陕西,西安,710038 |
| 基金项目： | 陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12) |
| 摘 要： | 基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性数学算法改进模型.该模型的优点是考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析.研究了背景电荷和各物理参数对Ⅰ-Ⅴ特性及跨导的影响,讨论了双栅极单电子晶体管的逻辑应用简化了"异或"逻辑电路,改进了二叉判别图电路的逻辑单元. |
| 关 键 词： | 单电子晶体管 背景电荷 双栅 异或 二叉判别图 |
| 文章编号： | 1004-3365(2004)03-0269-04 |
| 修稿时间： | 2003-04-17 |
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