| STI场区加固NMOS器件总剂量效应 |
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| 引用本文： | 谢儒彬,吴建伟,陈海波,李艳艳,洪根深. STI场区加固NMOS器件总剂量效应[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2016, 14(5): 805-810 |
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| 作者姓名： | 谢儒彬 吴建伟 陈海波 李艳艳 洪根深 |
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| 作者单位： | No.58 Institute，China Electronic and Technology Corporation，Wuxi Jiangsu 214035，China,No.58 Institute，China Electronic and Technology Corporation，Wuxi Jiangsu 214035，China,No.58 Institute，China Electronic and Technology Corporation，Wuxi Jiangsu 214035，China,No.58 Institute，China Electronic and Technology Corporation，Wuxi Jiangsu 214035，China and No.58 Institute，China Electronic and Technology Corporation，Wuxi Jiangsu 214035，China |
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| 摘 要： | 基于0.18 μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术，采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高，从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明，加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时，阈值电压无明显漂移，漏电流保持在10-12量级，其抗辐射性能明显优于非加固NMOS器件。通过STI场区加固工艺的研究，可有效提高电路的抗总剂量辐射能力，同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。
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| 关 键 词： | 辐射加固；总剂量效应；浅槽隔离；0.18 μm |
| 收稿时间： | 2015-07-06 |
| 修稿时间： | 2015-09-08 |
Total ionizing dose effect on NMOS transistors with radiation-hard in STI |
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| XIE Rubin,WU Jianwei,CHEN Haibo,LI Yanyan and HONG Genshen. Total ionizing dose effect on NMOS transistors with radiation-hard in STI[J]. Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology, 2016, 14(5): 805-810 |
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| Authors: | XIE Rubin WU Jianwei CHEN Haibo LI Yanyan HONG Genshen |
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