| 金属有机物化学气相沉积法生长Ga2（1-x）In2xO3薄膜的结构及光电性能研究 |
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| 引用本文： | 杨帆,马瑾,孔令沂,栾彩娜,朱振.金属有机物化学气相沉积法生长Ga2（1-x）In2xO3薄膜的结构及光电性能研究[J].物理学报,2009,58(10):7079-7082. |
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| 作者姓名： | 杨帆 马瑾 孔令沂 栾彩娜 朱振 |
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| 作者单位： | 山东大学物理学院，济南 250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号： 50672054）资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（0001）衬底上制备出了Ga2（1-x）In2xO3（x=01—09）薄膜，研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明：当In组分x=02时，样品为单斜β-Ga2O3结构；x=05的样品，薄膜呈现非晶结构，退火处理后薄膜结构得到明显的改善
关键词：
金属有机物化学气相沉积
2（1-x）In2xO3薄膜')" href="#">Ga2（1-x）In2xO3薄膜
蓝宝石衬底
退火
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| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积 Ga2（1-x）In2xO3薄膜 蓝宝石衬底 退火 |
| 收稿时间： | 2008-10-22 |
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