| 富氧氮氧化硅薄膜退火的研究 |
| |
| 引用本文： | 但亚平,岳瑞峰,王燕,姚永昭,徐杨,刘理天.富氧氮氧化硅薄膜退火的研究[J].半导体学报,2002,23(4):388-393. |
| |
| 作者姓名： | 但亚平 岳瑞峰 王燕 姚永昭 徐杨 刘理天 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| |
| 基金项目： | 教育部高校骨干教师资助计划;; |
| |
| 摘 要： | 利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.
|
| 关 键 词： | 氮氧化硅薄膜 红外吸收谱 XPS PECVD |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)04-0388-06 |
| 修稿时间： | 2001年6月18日 |
Annealing Effects on Oxygen-Rich Silicon Oxynitride |
| |
| Dan Yaping,Yue Ruifeng,Wang Yan,Yao Yongzhao,Xu Yang and Liu Litian.Annealing Effects on Oxygen-Rich Silicon Oxynitride[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(4):388-393. |
| |
| Authors: | Dan Yaping Yue Ruifeng Wang Yan Yao Yongzhao Xu Yang and Liu Litian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Si Ox Ny thin film IR XPS PECVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
