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| 退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究 | |
| 引用本文： | 李景,顾济华,钱波,蒋春萍,马仙梅.退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究[J].材料导报,2011,25(10):77-80. |
| 作者姓名： | 李景 顾济华 钱波 蒋春萍 马仙梅 |
| 作者单位： | 1. 苏州大学物理科学与技术学院,苏州215000;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215125 2. 苏州大学物理科学与技术学院,苏州,215000 3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215125 |
| 基金项目： | 科技部重大科学研究计划973项目，国家自然科学基金重点项目 |
| 摘 要： | 采用激光脉冲沉积法(PLD)在石英玻璃上成功制备了一系列MgZnO薄膜。并通过选用高Mg含量的靶材,成功将薄膜的吸收边调节至极紫外区域(200～280nm),经计算MgZnO薄膜的带隙高达5.46eV。进一步研究这种高Mg含量的MgZnO薄膜的结构特性,对薄膜进行了热退火处理,并首次观察到依赖于退火温度变化的(220)取向衍射峰的变化。 |
| 关 键 词： | MgZnO薄膜 禁带宽度 (220)取向 退火温度 |
Annealing Induced (220) Crystal to the Preferential Crystallization and Properties of MgZnO Films |
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| LI Jing,GU Jihua,QIAN Bo,JIANG Chunping,MA Xianmei.Annealing Induced (220) Crystal to the Preferential Crystallization and Properties of MgZnO Films[J].Materials Review,2011,25(10):77-80. | |
| Authors: | LI Jing GU Jihua QIAN Bo JIANG Chunping MA Xianmei |
| Affiliation: | 1 Physics Science and Technology Institute,Suzhou University,Suzhou 215000;2 Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics,Chinese Academy Sciences,Suzhou 215125) |
| Abstract: | A series of MgZnO thin films have been deposited on quartz substrate by pulsed laser deposition(PLD) method.The absorption edge was tuned to deep UV region(200～280nm) using the target with high Mg content.The band gap of MgZnO films can reach 5.46eV.Thermal annealing was performed to improve the structural characteristics of MgZnO films.For the first time the unique cubic(220) orientation crystallization process with the different annealing temperature was observed. |
| Keywords: | MgZnO film energy band gap (220)preferred orientation annealing temperature |
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