| 不同沉积层的纳米波导谐振腔特性测试 |
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| 引用本文： | 臧俊斌,赵国英,韦丽萍,薛晨阳.不同沉积层的纳米波导谐振腔特性测试[J].光子学报,2016(8):162-166. |
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| 作者姓名： | 臧俊斌 赵国英 韦丽萍 薛晨阳 |
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| 作者单位： | 1. 中北大学(朔州校区),山西朔州036000;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;2. 中北大学(朔州校区),山西朔州,036000;3. 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原,030051 |
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| 基金项目： | 山西省青年基金项目(No.2015021095)和国家自然科学基金(No.61127008)资助，The Youth Science Foundation of Shanxi Province (No.2015021095) and the National Natural Science Foundation of China (No.61127008) |
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| 摘 要： | 为确定硅基片上系统半导体光电器件集成中绝缘层材料对器件整体性能的影响,设计并制备了带有覆层的纳米波导谐振腔.谐振透射谱功率测试表明顶层覆盖Si_3N_4薄膜和SiO_2薄膜绝缘层没有削弱环形谐振腔的品质因素,沉积后的最佳耦合间距为70~110 nm.覆层为SiO_2时谐振点波长附近的谐振峰消光比达16.5 dB,3 dB带宽为0.12 nm;覆层为Si_3N_4时谐振点波长附近的谐振峰消光比达13.9 dB,3 dB带宽为0.18 nm.该研究为片上系统集成设计中最佳绝缘层材料的选择提供参考.
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| 关 键 词： | 光电器件 片上系统 纳米光波导 微环谐振腔 |
Test of Nano-waveguide Resonator with Different Deposition Layers |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Photoelectric device System on Chip(SoC) Nanophotonic waveguide Microring resonator |
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