| NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光 |
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| 引用本文： | 周卫,福田芳夫.NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光[J].半导体光电,1998,19(6):400-403. |
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| 作者姓名： | 周卫 福田芳夫 |
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| 作者单位： | 清华大学日本金属材料技术研究所 |
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| 摘 要： | 用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀
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| 关 键 词： | 多孔硅 光致荧光 红外光谱 腐蚀 纳米硅晶 |
Photoluminescence of porous silicon |
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| ZHOU Wei Yoshio Fukuda.Photoluminescence of porous silicon[J].Semiconductor Optoelectronics,1998,19(6):400-403. |
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| Authors: | ZHOU Wei Yoshio Fukuda |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Porous Silicon Photoluminescence IR Spectra Etching Nano-crystalline |
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