| 添加不同硼源时金刚石的高温高压合成 |
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| 引用本文： | 李勇,廖江河,谭德斌,宋谋胜,罗开武,肖政国.添加不同硼源时金刚石的高温高压合成[J].人工晶体学报,2018,47(9):1752-1756. |
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| 作者姓名： | 李勇 廖江河 谭德斌 宋谋胜 罗开武 肖政国 |
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| 作者单位： | 铜仁学院物理与电子工程系,铜仁,554300;湖南科技大学物理与电子科学学院,湘潭,411201 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11604246);贵州省教育厅创新群体重大研究项目(KY字[2017]053);吉林大学超硬材料国家重点实验室开放课题(201610);贵州省科技厅基金项目([2018]1163) |
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| 摘 要： | 在压力6.5 GPa、温度1290～1350℃实验条件下,研究了合成体系中分别添加单质硼、六角氮化硼(h-BN)时金刚石的合成.由于合成体系中添加剂的存在,导致所合成的金刚石颜色发生了明显的改变.傅里叶显微红外光谱(FTIR)测试表明,当合成体系中h-BN添加量较少时,所合成金刚石中含有替代式的氮杂质,且金刚石中有sp2杂化的硼-氮、硼-氮-硼结构存在.当合成体系中h-BN添加量达到2 wt;时,金刚石中的氮仅以硼-氮-硼的结构存在.此外,霍尔效应测试结果表明,硼掺杂金刚石具有p型半导体特性,而合成体系中添加h-BN所制备的金刚石表现为绝缘体.
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| 关 键 词： | 高温高压 金刚石 掺杂 |
Synthesis of Diamond Doping with Different Boron Sources under High Pressure and High Temperature |
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| LI Yong,LIAO Jiang-he,TAN De-bin,SONG Mou-sheng,LUO Kai-wu,XIAO Zheng-guo.Synthesis of Diamond Doping with Different Boron Sources under High Pressure and High Temperature[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(9):1752-1756. |
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| Authors: | LI Yong LIAO Jiang-he TAN De-bin SONG Mou-sheng LUO Kai-wu XIAO Zheng-guo |
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