| 改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象 |
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| 引用本文： | 王涛,杨戈,曾冬梅,徐亚东,介万奇.改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象[J].半导体学报,2007,28(Z1):345-347. |
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| 作者姓名： | 王涛 杨戈 曾冬梅 徐亚东 介万奇 |
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| 作者单位： | 王涛（西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072）;杨戈（西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072）;曾冬梅（西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072）;徐亚东（西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072）;介万奇（西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072） |
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| 摘 要： | 采用多种测试方法,对改进的垂直布里奇曼法生长Cd0.96Zn0.04Te晶体中的成分偏离标准化学计量比现象及其对晶体性能的影响进行了研究.X射线能谱成分测试表明,在晶锭的头部即初始结晶位置,(Cd Zn)/Te比大于1;而在中部及末端,小于1.表明这种方法生长的CZT晶体仍然存在对标准化学计量比的偏离现象,开始结晶是在富Cd熔体中,生长至中后段则是在富Te条件下进行的.PL谱测试表明,富Cd的晶片内存在大量Te空位,严重富Te的晶片内Cd空位及其杂质复合体等引起的缺陷密度显著增加.晶体红外透过率测试结果表明,接近化学计量配比的CZT晶片具有高的红外透过率.
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| 关 键 词： | CdZnTe 化学计量比偏离 PL谱 红外透过率 改进 布里奇曼法生长 CdZnTe 晶体性能 成分 偏离现象 Method Crystal Deviations Composition 计量配比 化学计量比 测试结果 红外透过率 缺陷密度 复合体 严重 空位 晶片 条件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0345-03 |
| 修稿时间： | 2006年12月15 |
Study on the Composition Deviations in CZT Crystal Grown by MVB Method |
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| Wang Tao,Yang Ge,Zeng Dongmei,Xu Yadong,Jie Wanqi.Study on the Composition Deviations in CZT Crystal Grown by MVB Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):345-347. |
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| Authors: | Wang Tao Yang Ge Zeng Dongmei Xu Yadong Jie Wanqi |
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