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| GaAs阴极光电发射特性北大核心CSCD | |
| 引用本文： | 李凯潘清肖德鑫王汉斌.GaAs阴极光电发射特性北大核心CSCD[J].强激光与粒子束,2013(B05):161-163. |
| 作者姓名： | 李凯潘清肖德鑫王汉斌 |
| 作者单位： | 1.中国工程物理研究院应用电子学研究所621900; |
| 基金项目： | 国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ130018) |
| 摘 要： | 采用氧过量YOYO激活工艺对经高温清洁的砷化镓(GaAs)晶片进行激活,测量其量子效率和在激光及背景光照射下的使用寿命,得到了4.66%的量子效率;在电子枪中的实验获得了平均流强大于1mA的束流。分析了真空度、高温清洁温度、铯氧激活工艺等因素对GaAs光阴极初始量子效率和使用寿命的影响。 |
| 关 键 词： | GaAs光阴极 量子效率 氧过量YOYO激活法 寿命 |
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