首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

MoSi2价电子结构分析及结合能计算
引用本文:彭可,易茂中,陶辉锦,冉丽萍.MoSi2价电子结构分析及结合能计算[J].中国有色金属学报,2007,17(2):216-221.
作者姓名:彭可  易茂中  陶辉锦  冉丽萍
作者单位:1. 中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083
2. 中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083
基金项目:国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目
摘    要:根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合。由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的Si—Si原子键共价电子数最多,nD=0.402 04。MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性。MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。

关 键 词:二硅化钼  价电子  结合能  脆性
文章编号:1004-0609(2007)02-0216-06
收稿时间:2006-07-25
修稿时间:2006-11-29

Valence electronic structure analysis and cohesive energy calculation of MoSi2
PENG Ke,YI Mao-zhong,TAO Hui-jin,RAN Li-ping.Valence electronic structure analysis and cohesive energy calculation of MoSi2[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2007,17(2):216-221.
Authors:PENG Ke  YI Mao-zhong  TAO Hui-jin  RAN Li-ping
Affiliation:1. State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China; 2. School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China
Abstract:
Keywords:molybdenum disilicide  valence electron  cohesive energy  brittleness
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号