InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究 |
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引用本文: | 杨国锋,朱华新,郭颖,李果华,高淑梅. InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51(3): 32301-174 |
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作者姓名: | 杨国锋 朱华新 郭颖 李果华 高淑梅 |
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作者单位: | 杨国锋:江南大学理学院, 江苏 无锡 214122 朱华新:江南大学理学院, 江苏 无锡 214122 郭颖:江南大学理学院, 江苏 无锡 214122 李果华:江南大学理学院, 江苏 无锡 214122 高淑梅:江南大学理学院, 江苏 无锡 214122
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基金项目: | 江苏省自然科学基金(11074280,BK2011436) |
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摘 要: | 设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出两种LED结构的光功率-电压(L-V)曲线、电致发光(EL)谱、能带图、电子浓度分布和辐射复合速率。结果表明InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层的LED结构比替代p-GaN附近GaN垒层的LED显示出更高的发光强度。这种发光增强的原因是InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层可以提高电子注入效率和辐射复合速率。
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关 键 词: | InGaN/GaN 发光二极管 超晶格垒层 数值模拟 |
收稿时间: | 2013-10-22 |
Research on Efficiency Improvement of InGaN Light-Emitting Diodes with InGaN/GaN Superlattice Barrier |
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Abstract: | |
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Keywords: | InGaN/GaN light-emitting diodes superlattice barrier numerical simulation |
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