| 形核工艺对金刚石膜形貌和电阻率的影响 |
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| 引用本文： | 廖晓明,冉均国,苟立,苏葆辉,张进,何子博.形核工艺对金刚石膜形貌和电阻率的影响[J].真空,2005,42(3):11-14. |
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| 作者姓名： | 廖晓明 冉均国 苟立 苏葆辉 张进 何子博 |
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| 作者单位： | 四川大学无机材料系,四川,成都,610065 |
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| 摘 要： | 金刚石薄膜电阻率的高低是薄膜绝缘性能优劣的直观反映,也是影响辐射剂量计器件性能的重要因素.针对目前形核工艺与电阻率的关系还不十分清楚的问题.本文研究了微波等离子体形核阶段工艺参数如基片位置、微波功率、甲烷浓度的变化对金刚石薄膜的表面形貌和电阻率的影响.结果表明微波等离子体形核工艺参数对金刚石薄膜的电阻率和表面形貌有显著影响.获得的最佳成核工艺条件:基体温度960℃、甲烷浓度0.72%、压力5.3 kPa、微波功率1300 W.在此工艺条件下制得的金刚石薄膜的电阻率值达到1011 Ω·cm数量级.
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| 关 键 词： | 金刚石薄膜 电阻率 表面形貌 形核工艺 辐射剂量计 |
| 文章编号： | 1002-0322(2005)03-0011-04 |
Influence of nucleation parameters on morphologies and resistivity of diamond thin films of radiation dosimeter |
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| LIAO Xiao-ming,RAN Jun-guo,GOU Li,SU Bao-hui,ZHANG Jin,HE Zi-bo.Influence of nucleation parameters on morphologies and resistivity of diamond thin films of radiation dosimeter[J].Vacuum,2005,42(3):11-14. |
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| Authors: | LIAO Xiao-ming RAN Jun-guo GOU Li SU Bao-hui ZHANG Jin HE Zi-bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diamond thin film resistivity morphology nucleation parameter radiation dosimeter |
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