| 应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展 |
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| 引用本文： | 孙伟峰,叶志镇,赵炳辉,朱丽萍.应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展[J].材料导报,2005,19(11):24-27. |
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| 作者姓名： | 孙伟峰 叶志镇 赵炳辉 朱丽萍 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家攀登计划，浙江省资助项目 |
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| 摘 要： | SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极技术(SiGe2).这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率fT和最大震荡频率fmax达到90GHz以上1];5GHz和20GHz的最大稳定增益(MSG)分别为22dB和11dB.SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS技术还处于发展阶段.
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| 关 键 词： | 双极 射频 |
SiGe2 Technology Advance for the RF Application |
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| SUN Weifeng,YE Zhizhen,ZHAO Binghui,ZHU Liping.SiGe2 Technology Advance for the RF Application[J].Materials Review,2005,19(11):24-27. |
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| Authors: | SUN Weifeng YE Zhizhen ZHAO Binghui ZHU Liping |
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| Affiliation: | State Key Lab of Silicon Materials, Zheiiang University, Hangzhou 310027 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe CMOS MSG |
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