低压真空接触器发展概况及趋向 |
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引用本文: | 何瑞华.低压真空接触器发展概况及趋向[J].低压电器,1981(4). |
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作者姓名: | 何瑞华 |
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作者单位: | 一机部上海电器科学研究所 |
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摘 要: | 本文叙述了英国AEI公司研究成镶嵌式低截流触头、日本东芝公司研究成截流值在1安以下的触头材料和东德EAw公司认为适当降低灭弧室真空度可以进一步提高电寿命的三大突破之后,对英、波、日、东德、西德等国产品及发展进行了概括的介绍。然后着重于真空电弧的研究、材料、操作过电压、真空度保持和检测、真空工艺及设备等方面对比了国内外差距,并对我国真空接触器技术的发展提出了看法。
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