| 短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究 |
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| 引用本文： | 尉吉勇,黄柏标,秦晓燕,张晓阳,张琦,姚书山,朱宝富,李宪林.短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究[J].光电子．激光,2005,16(11):1304-13,061,311. |
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| 作者姓名： | 尉吉勇 黄柏标 秦晓燕 张晓阳 张琦 姚书山 朱宝富 李宪林 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管（RCLED）,利用光致发光（PL）谱和电致发光（EL）谱研究了其发光特性.由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽（FWHM）由普通LED的20 nm降到4 nm以下.最好的器件测试结果表明,可以在60 mA、2.71 V下,实现1.45 mW以上发射功率,最窄FWHM在3 nm.
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| 关 键 词： | 谐振腔半导体发光二极管(RCLED) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光(PL) 电致发光(EL) |
| 文章编号： | 1005-0086（2005）11-1304-03 |
| 收稿时间： | 2005-06-15 |
| 修稿时间： | 2005-06-15 |
Epitaxy and Characterization of Short Wavelength Resonant Cavity LEDs |
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| WEI Ji-yong,HUANG Bai-biao,QIN Xiao-yan,ZHANG Xiao-yang,ZHANG Qi,YAO Shu-shan,ZHU Bao-fu,LI Xian-lin.Epitaxy and Characterization of Short Wavelength Resonant Cavity LEDs[J].Journal of Optoelectronics·laser,2005,16(11):1304-13,061,311. |
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| Authors: | WEI Ji-yong HUANG Bai-biao QIN Xiao-yan ZHANG Xiao-yang ZHANG Qi YAO Shu-shan ZHU Bao-fu LI Xian-lin |
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| Affiliation: | Institute of Crystal Materials, National Key Lab of Crystal Growth,Shandong University,Jinan 250100, China |
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| Abstract: | Resonant oavity light emitting diodes(RCLED) of 650 nm wavelength was epitaxied by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD),the emission property of photoluminescence(PL) and electro-luminesence(EL) was characterized.The PL intensity of RCLED is about 1/20 of common LED;the EL spectral purity is enhanced,EL spectral full width of half maximum(FWHM) is decreased from common LED's 20 nm to RCLED's 3-4 nm.The device characterization show that we can obtain above 1.45 mW EL emission power at 69 mA,2.71 V. |
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| Keywords: | resonant cavity light emitting diodes(RCLED) metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) photoluminescence(PL) electro-luminescence(EL) |
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