| 从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化 |
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| 引用本文： | 朱锋,赵颖,张晓丹,孙建,魏长春,任慧智,耿新华.从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化[J].人工晶体学报,2004,33(2):152-155. |
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| 作者姓名： | 朱锋 赵颖 张晓丹 孙建 魏长春 任慧智 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子所,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家科技部重大基础研究项目资助(G2000028203,G2000028202) |
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| 摘 要： | 采用RF-PECVD方法,在P-a-SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P型微晶硅薄膜材料(暗电导率为5.22×10-3S/cm,光学带隙大于2.0eV).在这个过程中可以明显观察到碳、硼抑制材料晶化的作用.
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| 关 键 词： | RF-PECVD P型微晶硅 P型非晶硅碳 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)02-0152-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月17日 |
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