| 一种应用于可见光通信系统的高带宽CMOS APD |
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| 引用本文： | 王巍,曾虹谙,王方,毛鼎昌,冯世娟,王冠宇,袁军.一种应用于可见光通信系统的高带宽CMOS APD[J].半导体光电,2021,42(3):308-314. |
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| 作者姓名： | 王巍 曾虹谙 王方 毛鼎昌 冯世娟 王冠宇 袁军 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院微电子系,重庆400065 |
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| 基金项目： | 重庆市重大主题专项项目(cstc2018jszx-cyztzxX0046,cstc2018jszx-cyztzxX0054).＊通信作者:王巍 |
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| 摘 要： | 采用标准的0.18μmCMOS工艺,设计了一种新型的应用于可见光通信系统的雪崩光电二极管(APD).相较于传统的CMOS APD,该器件在深n阱/p衬底的结构基础上增加一层p阱,再在其上分别离子注入一层n+/p+层作为器件的雪崩击穿层,并且采用STI结构来防止器件边缘过早击穿.仿真结果表明,器件的雪崩击穿电压为9.9 V,暗电流为1×10-12 A,3 dB带宽为5.9 GHz,响应度为1.2 A/W.由于STI保护环和短接深n阱/p衬底的结构设计,器件暗电流较传统结构CMOS APD降低了 2个量级,且带宽提高了约10％.
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| 关 键 词： | 雪崩光电二极管 可见光通信 CMOS pn结 STI保护环 带宽 响应度 |
| 收稿时间： | 2019/12/26 0:00:00 |
A High Bandwidth CMOS APD for Visible Light Communication Systems |
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| WANG Wei,ZENG Hongan,WANG Fang,MAO Dingchang,FENG Shijuan,WANG Guanyu,YUAN Jun.A High Bandwidth CMOS APD for Visible Light Communication Systems[J].Semiconductor Optoelectronics,2021,42(3):308-314. |
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| Authors: | WANG Wei ZENG Hongan WANG Fang MAO Dingchang FENG Shijuan WANG Guanyu YUAN Jun |
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| Affiliation: | Department of Microelectronics, College of Electronics Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | avalanche photodiodes visible light communication CMOS pn junction STI guard ring bandwidth responsivity |
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