减压氮保护直拉硅单晶生长

本文报道了在氮气中生长直拉硅单晶的实验结果。探讨了在减压下氮与硅的化学反应。结果表明减压氮气流能消除氧化硅烟尘,并取得无位错单晶的高产率。用本方法生长的低碳硅单晶具有良好电学性能。对单晶的热处理性能进行了研究。晶片经过三步内吸除热处理后可得理想的洁净区。