| 掺砷多晶硅发射极RCA晶体管 |
| |
| 引用本文： | 张利春,叶红飞,金雪林,高玉芝,宁宝俊.掺砷多晶硅发射极RCA晶体管[J].半导体学报,2000,21(7). |
| |
| 作者姓名： | 张利春 叶红飞 金雪林 高玉芝 宁宝俊 |
| |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
| |
| 摘 要： | 研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55-+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.
|
| 关 键 词： | RCA晶体管 多晶硅发射极 掺砷 |
Arsenic-Doped Poly-Silicon Emitter RCA Transistor |
| |
| ZHANG Li-chun,YE Hong-fei,JIN Xue-lin,GAO Yu-zhi,NING Bao-jun.Arsenic-Doped Poly-Silicon Emitter RCA Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(7). |
| |
| Authors: | ZHANG Li-chun YE Hong-fei JIN Xue-lin GAO Yu-zhi NING Bao-jun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
