| MFIS结构的C-V特性 |
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| 引用本文： | 颜雷,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝,钟琪,汤祥云.MFIS结构的C-V特性[J].半导体学报,2000,21(12). |
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| 作者姓名： | 颜雷 汤庭鳌 黄维宁 姜国宝 钟琪 汤祥云 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系微电子研究所复旦大学ASIC和系统国家重点实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了运用SOL-GEL方法制备的Au/PZT(铅锆钛)/ZrO2/Si结构电容即MFIS(Metal/Ferroelectr c/Irsulator/Semiconductor)电容的方法,并对其进行了SEM、C-V特性测试及ZrO2介质层介电常数分析.研究了C-V存储窗口(Memory WindoW)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系,得出MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为7 10左右,在外加电压5V-+5V时存储窗口可达2.52V左右.
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| 关 键 词： | 不挥发非破坏性读出铁电存储器 存储窗口 铁电薄膜:电滞回线 |
C-V Characteristic of MFIS Structure |
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