| Rb掺杂C60单晶的相衍变和电子态 |
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| 引用本文： | 李宏年.Rb掺杂C60单晶的相衍变和电子态[J].物理学报,2004,53(1). |
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| 作者姓名： | 李宏年 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省自然科学基金，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 在C60单晶超高真空解理面上制备C60的Rb填隙化合物薄膜.用同步辐射光电子能谱研究了相衍变过程.观察到对应于固溶相、Rb1C60和Rb3C60的电子态密度分布.当数纳米厚Rb3C60薄膜在C60单晶(111)解理面形成后,室温条件下进一步沉积Rb至样品表面不产生fcc到bct或bcc结构相变.C60分子的大尺寸提供了表面填隙位置使得样品表面形成Rb4C60和Rb5C60吸附相.价带电子能谱结果表明这两种表面相为金属性.Rb 3d芯态电子能谱测量进一步证实了表面Rb4C60和Rb5C60吸附相的存在.
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| 关 键 词： | 金属性Rb4C60和Rb5C60吸附相 C60单晶 相衍变 同步辐射光电子能谱 |
Phase evolution and electronic states of Rb-intercalated C60 single crystals |
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