| 光折变晶体的光电导及陷阱密度 |
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| 引用本文： | 胡居广,林晓东,阮双琛. 光折变晶体的光电导及陷阱密度[J]. 光电子技术与信息, 2005, 18(2): 47-49 |
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| 作者姓名： | 胡居广 林晓东 阮双琛 |
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| 作者单位： | 1. 深圳大学师范学院物理系,广东,深圳,518060
2. 深圳大学工程技术学院,广东,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 国家科技部"863计划"项目(2002AA311190) |
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| 摘 要： | 通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体CuKNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10 A·m-2.实验得到光电导与入射光强是指数约为b=0.8的亚线性关系,从而得到满陷阱与空陷阱之密度比的定量表示式为(CCu+/CCu2+)=αIb-1.在观测的波长范围内,b随着波长缩短而增大.
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| 关 键 词： | 光折变晶体 光电导 全息光栅 陷阱密度 |
| 文章编号： | 1006-1231(2005)02-0047-03 |
| 修稿时间： | 2004-08-02 |
The Photoconductivity of Photorefractive Crystal and Their Traps Density |
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| HU Ju-guang,LIN Xiao-dong,RUAN Shuang-chen. The Photoconductivity of Photorefractive Crystal and Their Traps Density[J]. Optoelectronic Technology & Information, 2005, 18(2): 47-49 |
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| Authors: | HU Ju-guang LIN Xiao-dong RUAN Shuang-chen |
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