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氧气流量对射频磁控溅射制备Cu2O薄膜性能的影响
引用本文:林龙,李斌斌,鲁林峰,江丰,沈鸿烈.氧气流量对射频磁控溅射制备Cu2O薄膜性能的影响[J].人工晶体学报,2010,39(5):1221-1226.
作者姓名:林龙  李斌斌  鲁林峰  江丰  沈鸿烈
作者单位:南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划),南京航空航天大学基本科研业务费专项科研项目 
摘    要:通过磁控溅射方法在玻璃衬底上制备Cu2O薄膜,采用X射线衍射(XRD)、分光光度计、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)等研究了氧气流量对Cu2O薄膜性能的影响.结果表明:氧气流量为4.2 sccm时,薄膜为单相的Cu2O,具有较高的结晶质量和可见光透过率,光学带隙为2.29 eV,薄膜的导电类型是p型且空穴浓度为2×1016 cm-3.通过XPS能谱分析Cu 2p3/2和O 1s结合能,确定了薄膜中Cu以+1价存在.

关 键 词:氧化亚铜  磁控溅射  电阻率  光透射率  氧气流量  

Effect of Oxygen Flow Rate on the Properties of Cuprous Oxide Thin Films Sputtered by RF Magnetron
LIN Long,LI Bin-bin,LU Lin-feng,JIANG Feng,SHEN Hong-lie.Effect of Oxygen Flow Rate on the Properties of Cuprous Oxide Thin Films Sputtered by RF Magnetron[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(5):1221-1226.
Authors:LIN Long  LI Bin-bin  LU Lin-feng  JIANG Feng  SHEN Hong-lie
Abstract:
Keywords:
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