| Cadence法解析SRAM多单元翻转机制 |
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| 引用本文： | 李洋,贺朝会,李永宏,杨卫涛,魏佳男. Cadence法解析SRAM多单元翻转机制[J]. 核电子学与探测技术, 2020, 40(4): 661-666. DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2020.04.026 |
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| 作者姓名： | 李洋 贺朝会 李永宏 杨卫涛 魏佳男 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,西安710049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家级重点实验室开放基金 |
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| 摘 要： | 通过软件模拟解释了So C静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象。采用Cadence软件设计了3×3SRAM阵列及必要的外围电路;分析比较了串联和并联理想电流源替代单粒子瞬态电流脉冲的局限性,提出了一种新的电路结构来修正理想电流源串联引发的错误;采用软件模拟方法实现了多位翻转和多单元翻转仿真,分析认为多位翻转和多单元翻转可以通过外围电路进行相互转换,实验所用So C存储器具有较好的抗多位翻转性能。
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| 关 键 词： | 静态随机存储器 单粒子效应 多单元翻转 多位翻转 Cadence模拟 |
Cadence Method for Analyzing Multi-Bit Upset Mechanism of SRAM |
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| LI Yang,HE Chao-hui,LI Yong-hong,YANG Wei-tao,WEI Jia-nan. Cadence Method for Analyzing Multi-Bit Upset Mechanism of SRAM[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2020, 40(4): 661-666. DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2020.04.026 |
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| Authors: | LI Yang HE Chao-hui LI Yong-hong YANG Wei-tao WEI Jia-nan |
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