0.13μm逻辑平台自对准工艺新型器件的优化 |
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引用本文: | 黄晨,吕瑞霖,范建国,李由.0.13μm逻辑平台自对准工艺新型器件的优化[J].电子与封装,2013(12):35-38. |
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作者姓名: | 黄晨 吕瑞霖 范建国 李由 |
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作者单位: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
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摘 要: | 增加一层多晶硅的自对准工艺已经被验证在0.5μm以上的逻辑工艺平台有效降低50%金属氧化物半导体场效应管的面积。然而随着栅极尺寸的不断缩小,自对准工艺的器件结构发生了变化,其器件的不均匀性效应越来越大地被凸现出来。文章以0.13μm的逻辑工艺为例,阐述了工艺中的器件不均匀性效应以及通过调整多晶硅的制程参数(温度)的方式予以解决的实例。
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关 键 词: | 金属氧化物半导体场效应管 多晶硅 器件 |
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