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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
电光学及其应用(续一)
作者姓名:
董孝义
高希才
作者单位:
南开大学现代光学研究所,机电部26研究所
摘 要:
第二讲电光材料1 引言在第一讲中,我们已经指出,某些光学介质在足够强的外电场(强到足以扰乱物质原子内的库仑场,典型值约为10~8V/cm)的
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