| 射频溅射功率密度对Ga:ZnO透明导电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 李远洁,李金逵,胡晓芬.射频溅射功率密度对Ga:ZnO透明导电薄膜性能的影响[J].西安交通大学学报,2010,44(8). |
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| 作者姓名： | 李远洁 李金逵 胡晓芬 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,710049,西安 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金资助项目，西安交通大学科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 室温下利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了掺Ga氧化锌(Ga:ZnO)多晶透明导电薄膜.通过改变磁控溅射生长过程中的溅射功率密度和靶基距,研究了多晶薄膜的透明导电性能与生长参数的相互影响关系.研究结果表明:当溅射时间相同时,随溅射功率密度的增加和靶基距的减小,Ga:ZnO薄膜的厚度增加,从而导致了薄膜导电率升高;当溅射功率密度为5.3W/cm2、靶基距为5cm时,Ga:ZnO薄膜的最小电阻率达到3.1×10-4Ω·cm.透光率测试结果表明:当溅射功率密度增加时,Ga:ZnO薄膜中紫外光学吸收发生了红移;增加溅射功率密度会造成薄膜中掺杂缺陷密度增加,产生禁带之间Urbach带尾能级吸收效应;GaZnO薄膜在可见光范围中的平均透光率大于80%.
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| 关 键 词： | 透明导电薄膜 氧化锌 Urbach带尾 磁控溅射 |
Effect of Sputtering Power Density on Properties of Ga-Doped ZnO Thin Films Grown by Radio Frequency Sputtering |
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| LI Yuanjie,LI Jinkui,HU Xiaofen.Effect of Sputtering Power Density on Properties of Ga-Doped ZnO Thin Films Grown by Radio Frequency Sputtering[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2010,44(8). |
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| Authors: | LI Yuanjie LI Jinkui HU Xiaofen |
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