| X波段GaN高效率连续B类功率放大器芯片设计 |
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| 引用本文： | 金晨,陈伟,王志宇,郁发新. X波段GaN高效率连续B类功率放大器芯片设计[J]. 哈尔滨工业大学学报, 2021, 53(6): 77-85 |
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| 作者姓名： | 金晨 陈伟 王志宇 郁发新 |
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| 作者单位： | 浙江大学航空航天学院,杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61604128)；中央高校基本科研业务费专项资助(2017QN81002) |
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| 摘 要： | 为有效地提升功率放大器的工作带宽和效率,基于0.25 μm GaN HEMT工艺,利用末级管芯输入、输出二次谐波调谐技术,设计了一款X波段GaN高效率连续B类功率放大器微波单片集成电路.末级管芯输出二次谐波调谐技术将晶体管的输出电容并入LC并联调谐电路中,简化了电路结构,并且优化并联LC调谐电路,将宽工作频带内各频点二...
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| 关 键 词： | 功率放大器 输入二次谐波调谐 高效率 连续B类 GaN HEMT |
| 收稿时间： | 2019-09-18 |
Design of X-band GaN high-efficiency continuous class B power amplifier |
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| JIN Chen,CHEN Wei,WANG Zhiyu,YU Faxin. Design of X-band GaN high-efficiency continuous class B power amplifier[J]. Journal of Harbin Institute of Technology, 2021, 53(6): 77-85 |
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| Authors: | JIN Chen CHEN Wei WANG Zhiyu YU Faxin |
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| Affiliation: | School of Aeronautics and Astronautics, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China |
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| Keywords: | power amplifier input second harmonic tuned high efficiency continuous class B GaN HEMT |
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