首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

Gd扩渗对PbTiO3陶瓷导电性能和介电性能的影响
引用本文:郝素娥,韦永德. Gd扩渗对PbTiO3陶瓷导电性能和介电性能的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2003, 9(3): 333-336
作者姓名:郝素娥  韦永德
作者单位:哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001
基金项目:黑龙江省科技攻关项目,GB02A301,
摘    要:采用气相法对 PbTiO3陶瓷扩渗 Gd元素,经扫描电镜和 X射线能谱分析,证实 Gd元素已渗入到 PbTiO3陶瓷中,并使 PbTiO3陶瓷的导电性能和介电性能发生了十分显著的变化.经Gd扩渗,PbTiO3陶瓷的室温电阻率从 2.0× 1010Ω@ m下降为 0.25Ω@ m,已趋近导体.随着温度升高,晶粒电阻和晶界电阻逐渐降低,导电性更强. Gd扩渗使 PbTiO3陶瓷的介电常数较纯PbTiO3陶瓷明显增大.

关 键 词:钛酸铅陶瓷 气相扩渗 导电性能 介电性能 Gd
文章编号:1007-4252(2003)03-0333-04
修稿时间:2002-11-20

Effects of Gd-penetration on conductivity and dielectric characteristics of PbTiO3 ceramics
HAO Su- e,WEI Yong- de. Effects of Gd-penetration on conductivity and dielectric characteristics of PbTiO3 ceramics[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2003, 9(3): 333-336
Authors:HAO Su- e  WEI Yong- de
Abstract:
Keywords:Gd  PbTiO3 ceramics  gas penetration  conductivity  dielectric constant
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号