首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

脉冲激光沉积法制备二氧化钒薄膜的研究进展
引用本文:王海方,李毅,蒋群杰,俞晓静,胡双双,武斌,张虎,黄毅泽,张伟.脉冲激光沉积法制备二氧化钒薄膜的研究进展[J].激光与光电子学进展,2009(6).
作者姓名:王海方  李毅  蒋群杰  俞晓静  胡双双  武斌  张虎  黄毅泽  张伟
作者单位:1. 上海理工大学,光学与电子信息工程学院,上海,200093
2. 上海理工大学,光学与电子信息工程学院,上海,200093;上海理工大学,上海市现代光学系统重点实验窒,上海,200093
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划),教育部科学技术研究重点项目,上海市科学技术委员会科技攻关计划项目,上海市教委科学技术研究重点项目 
摘    要:主要阐述了脉冲激光沉积(PLD)技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍了脉冲激光沉积制备二氧化钒(VO2)薄膜的工艺参数和同内外研究进展,并与几种常规制备方法进行了对比,给出了脉冲激光沉积掺杂对VO2溥膜特性的影响,以及脉冲激光沉积制备VO2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备VO2薄膜存在的问题和发展方向.

关 键 词:薄膜  VO2薄膜  脉冲激光沉积  制备  掺杂

Research Progress of Vanadium Dioxide Thin Film Fabricated by Pulsed Laser Deposition
Wang Haifang,Li Yi,Jiang Qunjie,Yu Xiaojing,Hu Shuangshuang,Wu Bin,Zhang Hu,Huang Yize,Zhang Wei.Research Progress of Vanadium Dioxide Thin Film Fabricated by Pulsed Laser Deposition[J].Laser & Optoelectronics Progress,2009(6).
Authors:Wang Haifang  Li Yi  Jiang Qunjie  Yu Xiaojing  Hu Shuangshuang  Wu Bin  Zhang Hu  Huang Yize  Zhang Wei
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号