0.4~0.25μm时代的腐蚀技术 |
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引用本文: | 松川.0.4~0.25μm时代的腐蚀技术[J].电子与封装,2002,2(5):47-50. |
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作者姓名: | 松川 |
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摘 要: | <正> 1 前言1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM 为代表的0.4μm 器件过渡到以256MDRAM 为代表的0.25μm 器件。对于64M 方面的设备投资究竟是多少,各器件公司要先进行核算,结果是设备投资增加了许多。如果说以往是重视性能方面而选择机种,那么,今后的趋势则转为重视成本。另外,如图1所示,尽量控制批量生产初期的投资额,使处理能力和投资金额呈线性关系,希望能获得具有多种处理能力的装置。作为机种选择指标之一的是 COO(Cost of Ownership)。其中,除了装置的成本之外,还包括消耗品和动力费等运转成本、维修人员的人事费用,这都要作为处理每枚硅片所需要的成本。
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