首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

0.4~0.25μm时代的腐蚀技术
引用本文:松川.0.4~0.25μm时代的腐蚀技术[J].电子与封装,2002,2(5):47-50.
作者姓名:松川
摘    要:<正> 1 前言1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM 为代表的0.4μm 器件过渡到以256MDRAM 为代表的0.25μm 器件。对于64M 方面的设备投资究竟是多少,各器件公司要先进行核算,结果是设备投资增加了许多。如果说以往是重视性能方面而选择机种,那么,今后的趋势则转为重视成本。另外,如图1所示,尽量控制批量生产初期的投资额,使处理能力和投资金额呈线性关系,希望能获得具有多种处理能力的装置。作为机种选择指标之一的是 COO(Cost of Ownership)。其中,除了装置的成本之外,还包括消耗品和动力费等运转成本、维修人员的人事费用,这都要作为处理每枚硅片所需要的成本。

本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号