| P型GaAs欧姆接触的制作 |
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| 引用本文： | 杨立杰,李拂晓,蒋幼泉,陈新宇.P型GaAs欧姆接触的制作[J].固体电子学研究与进展,2007,27(3):427-430. |
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| 作者姓名： | 杨立杰 李拂晓 蒋幼泉 陈新宇 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti/Pt/Au和Cr/Pt/Au多层金属作为欧姆接触金属,并对比合金前后的差别。结果表明,使用Ti/Pt/Au作为欧姆接触金属效果更好,合金对于降低欧姆接触电阻率效果明显,合金后Ti/Pt/Au的接触电阻率可达到3.08×10-5Ω.cm2。
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| 关 键 词： | P型欧姆接触 砷化镓 合金 接触电阻率 |
| 文章编号： | 1000-3819（2007）03-427-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-03 |
Formation of Ohmic Contacts to P-GaAs |
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| YANG Lijie,LI Fuxiao,JIANG Youquan,CHEN Xinyu.Formation of Ohmic Contacts to P-GaAs[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2007,27(3):427-430. |
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| Authors: | YANG Lijie LI Fuxiao JIANG Youquan CHEN Xinyu |
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| Affiliation: | Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, CHN |
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| Abstract: | A study of Ti/Pt/Au and Cr/Pt/Au ohmic contacts to Be-implanted P-GaAs is presented. The result shows that Ti/Pt/Au is better and thermal annealing is necessary. The optimum specific contact resistance of 3.08×10-5 Ω·cm2 is obtained through the metal of Ti/Pt/Au and annealing procedure. |
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| Keywords: | P-type ohmic contact GaAs thermal annealing specific contact resistance |
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